Mersen repousse les liimites du packaging des modules de puissance

SAINT-BONNET DE MURE, FRANCE - 15 AVRIL 2016 - Mersen (Euronext FR0000039620 – MRN), un  expert mondial de l'énergie électrique et des matériaux avancés, présentera lors de  PCIM Europe 2016 sa solution unique permettant de satisfaire en même temps les deux challenges qui sont liés au packaging des modules de puissance : la haute température (jusqu'à 200°C) et un busbar laminé interne à basse inductance.

Le busbar laminé de Mersen, une technologie clé pour l'électronique haute fréquence, haute tension et haute température.

L'électronique de puissance SiC et GaN est en train de gagner du terrain en offrant une gamme complète de transistors et de diodes avec des caractériques rehaussées rejoignant celles de leurs équivalents en silicium :

• Plus grande mobilité électronique
• Plus grande température de jonction (jusqu'à 250°C)
• Plus grande fréquence de coupure (several 10’s of kHz)
• Plus grande densité de puissance

Chez Mersen, nous avons encore accru notre savoir-faire en termes de busbar en sélectionnant encore plus précisément les matériaux (diélectrique et colle), par la simulation, par les règles de design et les procédés de fabrication associés. Ceci autorise maintenant des busbars internes en cuivre compatibles avec la haute température (jusqu'à 200°C) et les hautes fréquences de coupure (fréquence parasite aussi basse que 35nH dans l'exemple présenté).

Exemple d'un busbar laminé interne nouvellement conçu pour la haute température pour les modules de puissance  PrimePack™

Un ensemble complet d'outils de simulation adapté à votre module de puissance

Quelque soit le type de module de puissance, nos outils de simulation multi-physiques prédiront les comportements mécanique, thermique et électrique du système complet.

Dans l'exemple module PrimePack™, la simulation du comportement du busbar laminé nouvellement conçu a été faite en tenant compte de :

• Distance entre les plaques : 0.23 mm
• Calcul de l'impédance de la boucle complète, sans l'influence des composants électroniques
• Matériau employé : cuivre 1 mm.
• L'impédance Z = R + jX a été résolue entre 10 Hz et 10 MHz.
• L'inductance de la boucle L a été déduite de la partie imaginaire de  X en utilisant L = X / (2πf)

Simulation de l'inductance parasite d'un busbar laminé en nH fonction de la fréquence de coupure